SJT 11052-1996 电子元器件详细规范 3DG162型高频放大环境额定双极型晶体管(可供认证用)
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ID： |
43D76DE1289D4E52A7876C0014CB06F0 |
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文件大小(MB)： |
0.71 |
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页数： |
11 |
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文件格式： |
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日期： |
2024-7-28 |
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セ华人民共和国国家标准,セ子元器件详细规范,3DG162 型,高频放大环境额定双极型晶体,Detail specification for electronic component,Bipolar transistor for ambient*rated,GB 10271—88,降为 SJ/T 11052-96,high-frequency amplification of type 3DG162,（可供认证用）,.,本标准规定了 3DG162型高频放大环境额定双极型晶体管的详细要求,本标准适用于3DG162型高频放大环境额定双极型晶体管◎,本标准是按GB 6217《高低频放大环境额定双极型晶体管空白详细规范》制订的,符合GB 4936」,《半导体分立器件总规范》!类的要求,中国电子元器件质量认证委员会标准机构是中国电子技术标准化研究所,セ华人民共和国电子工业部1988 - 04-22批灌1989-08TH 实施,GB 10271—88,w,评定器件质量的根据,GB 4936.1《半导体分立器件总规范》GB lC27i—,3DG162型详细规范,订货资料:见本规范第7章,机械说明2简略说明,外形标准:G .1 758I《半导体分立器件外形尺寸》中代号,A3-01B,外形图及引出端识别I,高频放大用环境额定双极型晶体管,半导体材料,封 装.,应 用,N型硅,金爲（空腔）,电子发路中作高频放大,3质量评定类别,I!类,参考数据,P to k-3oomW（Tsa,b==25*C）,［尸50mA,fiA50MHz,V cbo^100V（3DG162A）,Vcb0>15OV（3DG162B）,Vcbo>200V（3DG162C）,Vcbo>250V（3DG162D）,标志,见本规范第6章,■ 1 IM . --■■■■ ■ ■ ■ . ■ !!■ .. ■ ■ ■ ------ ■ - ------------- -------- ------------- ---------------------------------------------------------------------------------------- _ —— _ ________________________,■ ■ ■■ > ,丒 丒丒, I — ya,按本详细规范鉴定合格的需件,其制造厂的有关资料,见合格产品ー览表,*,2,GB 10271—88,4极限值（绝对最大额定值）,除非另有规定,Tamb-25℃,数II,条文号名称符 号单 位,4.2,4.6,4ノ,472,最小值最大值,环境温度,贮存温度,最大集电极一基极直流电压,3DG162A,3DG162B,3DG162c,3DG162D,最大集电极ー发射极直流电压,3DG162A,3DG162B,3DG162G,3DG162D,最大发射极一基极直流电压,最大集电极直流电流,耗散功率,最高有效（等效的）结温,耗散功率的绝对值,6电特性（检验要求见本规范第8章）,条文号,特 性 和 条 件,除非另有规定,T.mb=25cC,符号,5.1 共发射极正向电流传输比,Vce?10V,A,m 橙,黄,绿,兰,紫,T.cnb,T ?tg,VcBO,VcBO,Vebo,Ic,Pto,最小值,5,0,5,0,0,2,4,5,8,2,*55,~55,值,最大值,40,55,80,120,175,175,100,150,200,250,100,150,200,250,5,50,175,300,单 位,V,V,V,V,V,V,V,V,V,mA,て,mW,检验组别,A2b,3,GB 10271—,条文号,特梯c,2 和 条,续表,件,符 号,数 值,5.4,5.6,5.7,5.8,549,除非另有规定.T..b=25p,特征频率,V ce~ 10V,Ic-2mA,f —30MHz,集电极一基极截止电流,VcB~100Vt,Vcfi=150Vt,VcB=200Vt,Vcb=250V.,单位,IcBO(1),Ib?O, 3DG162A,3DG162B,Ie= 0 1 3DG16 2C,Ie=0. 3DG162D,集电极ー发射极截止电流,Vc￡=100Vt,Vcb=150Vf,Vcg=200VF,Vcfis250Vt,I??0t 3DG162A,Ib^O, 3DG162B,Ib?0?3DG162C,Ib=0, 3DG162D,高温下的集电极一基极截止电流,T3 =125(C,Vchr65V. Ie=0ナ 3DG162A,Vcb^IOOV, Ie=0> 3DG162B,Vcb=130V, So. 3DG162C,Vcb-165Vt Ie^Oi 3DG162D,发射极一基极截止电流,Vrb?35V Ic=0,基极丒发射极电压,Vcr-loV,Ic*0 2mA,集电极ー发射极饱和电压,Ic^lOmA,Js^lmA,共基极输出电容,a,VcB*=10V,/CBO,Ibbo,Vbe,Vcb( sa t),Cm,最小值最大值,检验组别,50,0.1,10,1.2,0.5,5,MHz,nA,ktA,nA,レA,V,A4,A2b,A2b,C2b,A2b,A2b,A2b,C2a,f?lMHz,5.15 结到环境的热阻R th ( l^amb) 0.5 p/mW,注,h行的允许测试误差为±1。%0,4,GB 10271 — 88,▼寸ア. 宀,8 J器件上’的标志,?型号和质量类别（放在型号后面）,b.制造厂商标キ,3检验批识别代码,*1.认证合格标志（适用时）,e. %e分档（按本规范5……
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